ИОННЫЙ МИКРОАНАЛИЗ, метод локального анализа, основанный на  Интенсивность эмиссии вторичных ионов i-го элемента (Ii) сильно зависит от 

Ионный TOF-спектрометр МАНАГА-Ф Ионный времяпролетный (TOF -ионной эмиссии; — исследование взаимодействия ионов солнечного ветра с 

Для стиму- лирования вторичной положительной ионной эмиссии. (ВПИЭ) на медной катанки при бомбардировке ионным пучком цезия,. E0 = 6.7 keV.

Интенсивность вторичной ионной эмиссии
При исследовании вторичной ионной эмиссии эксперимент в общем виде состоит в следующем. Образец помещают в вакуумную камеру и его поверхность облучают пучком ускоренных атомных частиц. Пучок бомбардирующих частиц с требуемыми параметрами ( масса частиц, их энергия и зарядовое состояние, интенсивность пучка) создается ионной пушкой. Под действием бомбардирующих частиц из образца эмиттируют вторичные ионы, которые затем формируются в пучок нужной геометрии, ускоряются и направляются в масс-анализатор. Для разделения ионов чаще всего используются магнитные или квадрупольные масс-анализаторы. На рис. 7.1 приве- [c.177]
Заряд мишени удается существенно снизить, если бомбардировку мишени осуществлять пучком ускоренных нейтральных атомов [253]. В этом случае устраняется основной источник заряда — интенсивный поток положительных ионов. Замена ионного пучка на атомный не изменяет вторично-эмиссионных масс-спектров зарядовое состояние бомбардирующих частиц практически не влияет на процессы, определяющие вторичную ионную эмиссию. [c.179]
Интенсивность эмиссии вторичных ионов 1-го элемента (/,) сильно зависит от параметров первичного ионного пучка ( типов ионов, их энергии, плотности тока), анализируемой пробы (характера хим связей, физ. св-в, потенциала ионизации атомов, работы выхода электронов бомбардируемой пов-сти и др.), давления и состава остаточных газов в приборе. Величина /, характеризуется величиной вторичного ионного тока (в А) или скоростью счета импульсов (имп/с). Дифференц. выход вторичных ионов у, = К,/С где К,= = представляет собой отношение числа испускае- [c.260]
Общие соображения по влиянию вторично-электронной эмиссии на спектры имеются в [Л. 4-4]. Количественные исследования [Л. 4-5] показали, что в электронном пучке ионного источника существует при нормальных режимах значительная доля (20—30%) вторичных электронов, существенным образом влияющая на величину ионного тока. С течением времени свойства металлических поверхностей ионизационной камеры изменяются вследствие образования различных пленок и напылений. Кроме того, при каждом пуске установки происходит постепенное обезгаживание электродов ионного источника, в связи с чем изменяется коэффициент вторичной эмиссии. Дополнительное влияние на нестабильность ионного тока может возникнуть благодаря действию стабилизатора эмиссии. Вторичные электроны, попадающие вместе с первичными на анод, искажают величину анодного тока. Если стабилизатор эмиссии стабилизирует ток анода, то при изменении величины коэффициента вторичной эмиссии (Т будет меняться температура катода, поскольку стабилизатор будет стремиться поддержать анодный ток неизменным. Изменение температуры катода будет менять распределение плотностей первичных электронов по сечению электронного пучка, т. е. влиять на интенсивность ионного тока. Вследствие этого целесообразно стабилизировать общий ток катода. [c.92]

Вторичная Ионная Масс-Спектрометрия (ВИМС). Принцип и эмиссии вторичных ионов при распылении твердых тел, состоит в определении P±.

Таким образом, механизм дуги можно представить себе следующим. Из катода в результате высокой степени его разогрева ( термоэлектронная эмиссия) или наличия около его поверхности больших напряженностей электрического поля (10 —10 в см — автоэлектронная эмиссия) вырывается поток электронов. Первый случай имеет место для материалов катода с высокой температурой плавления и испарения металла (уголь, графит, вольфрам, молибден), благодаря чему температура на их поверхности может достигать в катодных пятнах значений 2 500—3 000° С и выше, когда начинается заметная термоэлектронная эмиссия. Второй случай соответствует материалам с низкой температурой кипения и испарения (ртуть, титан, медь). В области катодного падения поток электронов разгоняется настолько, что за ее пределами происходит интенсивная ионизация частиц газа в дуговом промежутке, причем здесь, по-видимому, весьма существенна роль ступенчатой ионизации. Образовавшиеся положительные ионы под действием поля направляются к катоду и разогревают его вторичные и первичные электроны направляются через столб дуги в направлении анода. На их пути происходят новые соударения (главным образом термическая ионизация) и образование новых заряженных частиц, что компенсирует их исчезновение в более холодных частях столба путем рекомбинации и диффузии. При попадании на анод отрицательные частицы нейтрализуются, выбивая из него некоторое количество положительных ионов, устремляющихся через столб дуги к катоду. Плазма столба в целом нейтральна, т. е. концентрация положительных и отрицательных частиц одинакова, но из-за того, что подвижность электронов по [c.29]
Анализ термически нестабильных, труднолетучих соединений с использованием традиционных методов ионизации ( электронный удар, химическая ионизация, ионизация в сильном электрическом поле) неизбежно связан с возможностью разложения образца в процессе его введения в ионный источник. В отдельных случаях разложения можно избежать, переводя анализируемые объекты в более летучие и термически более стабильные производные ( дериватизация). Ограничения этого приема очевидны поиски иных способов ионизации привели к созданию методов, основанных на эмиссии ионов из вещества в конденсированном состоянии. Масс-спектры вторичных ионов, получаемые под действием ионных, электронных и атомных пучков, а также лазерного излучения содержат интенсивные пики молекулярных и осколочных ионов. Их совокупность позволяет определять молекулярную массу и структуру исследуемого образца. [c.176]

Куранов В.Г., Виноградов А.Н. Исследование явления трибоцементации шаров подшипников методом вторичной ионно-ионной эмиссии // Вестник 

В табл. 2 приведено сравнение интенсивностей токов вторичных ионов основы и относительных коэффициентов эмиссии ряда элементов, полученных нами для первичных ионов 0+ и С ", с результатами работы [10] для Аг+. [c.178]
В работах [1, 2J было установлено, что состав и состояние слоя газов, адсорбированных на поверхности металла, оказывает существенное влияние на состав вторичных положительных и отрицательных ионов, выбитых с поверхности металла первичными ионами. Оказалось, что протекание некоторых химических реакций на поверхности металла существенно влияет на температурную зависимость интенсивности отдельных линий в масс-спектре вторичной ионно-ионной эмиссии. В связи с этим можно попытаться использовать явление вторичной ионно-ионной эмиссии для выяснения характера элементарных процессов при гетерогенном катализе. Однако при этом нельзя ограничиться только анализом изменений в масс-спектре вторичной ионно-ионной эмиссии, возникающих вследствие каталитического процесса. [c.309]
Остается предположить, что в реакции окисления аммиака по крайней мере основные конечные продукты реакции образуются в результате непосредственного соединения аммиака с кислородом. Эта реакция может идти как с молекулярным, так и с атомарным кислородом, поэтому важно выяснить, в каком состоянии кислород находится на поверхности платины — в молекулярном или атомарном. Для этого были проведены опыты с платиновым катализатором в атмосфере кислорода (Ро. 1,5-10 мм рт. ст.). Исследовались зависимости интенсивности массовых линий 32 (О ) и 16 (О ) в спектре вторичных ионов от температуры катализатора и давления кислорода. Результаты опытов иллюстрируются кривыми на рис. 3. Рассмотрение этих кривых позволяет сделать вывод о том, что кислород на поверхности платины находится частично в молекулярном, а частично в атомарном состоянии. Действительно, существование эмиссии вторичных ионов 0 во всем исследованном интервале температур показывает, что по крайней мере часть кислорода на платине находится в молекулярном состоянии. Ионы О могут выбиваться как из молекулярного, так и из атомарного кислорода, поэтому из факта существования вторичной эмиссии ионов О еще нельзя сделать определенных выводов. Такие выводы можно сделать из сопоставления кривых I (Т) для вторичных ионов Оа и О ". Токи вторичных ионов Оа и O при данной температуре катализатора определяются формулами [c.312]
Повышенное почернение фона вокруг интенсивных линий называется гало. Оно вызвано вторичной эмиссией, обусловленной первичными ионами, попадающими на поверхность пластинки. Экспозиции в пределах 10" кулона могут быть на половину обусловлены этим фоном, значительно понижающим чувствительность. Подавить гало удалось Мею [124]. Оп предотвратил взаимодействие между интенсивным ионным лучом основы и эмульсией, вырезая нерабочие части фотопластинки. Предел обнаружения примесей в алюминии был увеличен таким путем на один порядок. [c.358]
Конц. элемента С определяют по интенсивности I вторичной ионной эмиссии, к-рая зависит также от потенциалов ионизации атомов, работы выхода электрона и может меняться для разл. элементов и образцов на неск. порядков. Изменение I м. б. связано и с т. н. реакционной вторичной ионной эмиссией, к-рая возникает при анализе хим. соед., наличии оксидных пленок на пов-сти образца, при использ. химически активных первичных ионов, в присут. реакционноактивных остаточных газов в ионных микроаналиэато-рах. Реакционная эмиссия может приводить к ошибкам в анализе, однако ее использ. для увеличения воспроизводимости и чувствительности метода. [c.225]
Количеств. И. м. проводят, используя теоретич. и эмпирич. градуировочные характеристики С, =/( 1, . Первые основаны на квантовомех. или термодинамнч. моделях механизма вторичной ионной эмиссии. Однако более точны эмпирич. методы с использованием многоэлементных однородных стандартных образцов, чистых в-в или ионнолегированных поверхностных слоев с заданным распределением элементов. При этом обычно рассчитывают коэф. относит, чувствительности (КОЧ)- отношение выходов вторичных ионов определяемого элемента для исследуемого и стандартного образцов К.ОЧ = (1J J) ( J J где и / -соотв. концентрация определяемого элемента и интенсивность ионной эмиссии в стандартном образце, /, и Х-доли измеряемых изотопов соотв. в исследуемом и стандартных образцах. [c.260]
Кроме автоэлектронной при ионной бомбардировке катода протекает интенсивная вторичная электронная эмиссия. Основными зонами тлеющего разряда (рис. 51) являются катодное темное пространство и отделенное от него отрицательное свечение, которое нередко переходит

Вопросы по курсу «Физика электронных и ионных процессов» (2016 год, осенний Основное уравнение термоэлектронной эмиссии металлов. 5.


Фотоионизация Анализ состава поверхностей твердых тел 3. Полевая ионная эмиссия (ионизация в сильном электрическом поле) Ионизация газов и 

Распыление. Механизмы распыления. Формула Зигмунда для коэффициента распыления. Вторичная ионная эмиссия. Коэффициент вторичной ионной 


Отражение электронов и вторичная эмиссия. Эмиссия электронов из твердо- го тела вторичная электронная и электронно-ионная эмиссия, тепловое 


Ионная эмиссия, испускание положительных и отрицательных ионов поверхностью твёрдого тела или жидкости (эмиттер) в вакуум или 

является ионно−электронная эмиссия, т. е. выбива- ние электронов налетающими ионами [9]. Механизм электронной эмиссии с поверхности.


Ионная эмиссия – испускание положительных и отрицательных ионов поверхностью твёрдого тела или жидкости (эмиттер) в вакуум или газообразную 


Следующий метод, применяемый для исследования поверхностных явлений,— это метод вторичной ионно-ионной эмиссии. При бомбардировке 

университета, крупный ученый в области взаимодействия ионов с Одним из результатов работ по ионно-электронной эмиссии явилось открытие в 


Ионная эмиссия, испускание положительных и отрицательных ионов поверхностью твёрдого тела или жидкости (эмиттер) в вакуум или газообразную 


Ионная эмиссия, испускание положительных и отрицательных ионов поверхностью твёрдого тела или жидкости (эмиттер) в вакуум или газообразную 

Способ определения коэффициентов вторичной ионно-ионной эмиссии компонент образца из полупроводникового материала. Страница 1. Способ 


Ионно-электронная эмиссия – испускание электронов твердым телом при бомбардировке его ионами. Различают потенциальное вырывание 


ляется ионная обработка оптических материалов, получившая наиболее сис-  ления атомной эмиссии с поверхности мишени под действием ионной 

Модификация дифференциальных спектров вторично-ионной и ионно-электронной эмиссии и физико-химические свойства твердого тела Филимонов, 


Коэффициент вторичной ионной эмиссии. Рассеяние ионов низких и средних энергий. Обратное резерфордовское рассеяние. Ионно-электронная.


Электронно-ионная эмиссия — явление вырывания ионов с поверхности твёрдого тела под действие потоков электронов.

Дополнительная селекция образовавшихся ионов осуществляется в Этот способ регистрации ионных массхроматограмм получил название 


Потенциальная ионно-электронная эмиссия — это явление испускания за счет возбуждения электронов тела потенциальной энергией ионов.


В пособии приведены основные положения физики взаимодействия ионов с материалами, теории и закономерности ионно-электронной эмиссии.

ионно ионной эмиссии